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第113章 闪存堆叠技术 (第1/2页)

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2017年前,华国并没有自主生产dRAm和NANd闪存的能力,这样的矛盾其实不仅仅是在华国,全球科技行业围绕着芯片发生了一系列的技术竞赛与商业搏杀。

上世纪80年代,岛国企业在dRAm行业将米国企业打得丢盔弃甲,倒闭了8成,于是米国政府搞出了《米岛半导体协议》,为岛国日后的半导体行业衰落敲响了丧钟。

在这波竞争中,产业链逐渐向泡菜国转移,三兴摇身一变成为了今天的行业巨人。

2016年,华国微电子所与之前专做代工的江城新芯合作创办了常江存储,实现了研究所的商业落地转化应用,xtacking技术便是来源于此,目前正在积极突破64层NANd闪存技术。

“原来是64层啊!”路阳听到这则消息,比昨晚吃到的武昌鱼还令他高兴,不愧是微电子所出身,懂得底牌需要在关键时候才能打出。

周明山一边介绍,一边暗自观察路阳的反应,

“路总这边请,这里就是我们的设计院,目前国际几家大厂普遍使用的是64-98层的堆叠技术,但我们的64层堆叠技术在xtacking的加持下,性价比要远高于国外品牌。”

路阳问道,“核心应用还是在固态硬盘上是吧?”

“是的,应用端硬盘在常江,内存在常鑫。”

这样一解释,路阳明白过来,看来两家的方向各有不同,这很好,市场都还没打开,就先自己人卷起来就麻烦了。

常鑫那边有了芯片的支持,进步会比原来快许多,卡住内存的不是存储技术,而是控制芯片。

“对于闪存来说,最为重要的是刻蚀机,这方面一直用的是米国泛林的刻蚀机,2015年华国的华微半导体实现了高端等离子刻蚀机的技术突破,所以现在刻蚀机的出口管制已不像光刻机这么严。”

周明山继续说道,“这次半导体行业年会华芯放出的刻蚀技术会在短期内提高国产刻蚀机的技术,只是从技术到应用还需要时间。”

“原来如此,西方的手段就是你突破什么,他开放什么,然后以极低的价格倾销产品,让你产不如买。现在光刻机突破了,西方会全面开放dUV吗?”路阳在心中想着,如果是纯粹的商业竞争,华芯是不会惧怕的。

周明山直接在电脑上打开了最新设计图纸,“路总,这便是我们一直在做的64层堆叠技术。”

陈长义打听得很清楚,这位华芯的掌门人很喜欢上手,立刻说道,“路总试试?”

路阳随后坐下,移动鼠标停留在关键位置,问道,“基础原理就是先设计出两块芯片,难点在于两块芯片之间的连接,对吧!”

“是的。”

见路阳已经上手,应若涵对一名保镖低声吩咐道,“立刻清点现场人数,注意,别被发现,事后做全面调查。”

这还是她第一次跟路阳配合,心中不由期待起来。

路阳并不会使用这套软件,图纸部分现在的他勉强能理解各模块的意思,提的问题也被一旁的周明山快速解答。

固态硬盘的SSd芯片分4个类型,分别是SLc、mLc、tLc、qLc。

其中SLc用于企业级产品中,特点是速度快,寿命长,约10万次擦写寿命。

mLc次之,主要是家用级,速度与寿命也不错,约3000-1万次擦写寿命。

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