第三百一十二章 正式反超 (第2/2页)

随着机器人一号的不断讲解众人才发现目前的羽震半导体在新的材料方面已经研发到了第二代的材料，而第一代的材料早已经运用在了生产之中。

这也就意味羽震半导体一直在隐忍不发，而如今放出如此重磅消息，仿佛是要准备改变整个半导体行业的发展。

毕竟材料学是整个科技的基础，相应的行业也是基于材料的发展而不断的进步。

羽震半导体采用了全新的半导体材料进行生产，并且在相应众人的眼中，这样的材料的水准和水平远远的高出其他旧时代的硅基半导体材料。

这种新的创新和突破会让整个行业发生巨大的变动和改进，同时也会让其他的厂商开始进行新一轮的选择。

所有的半导体的科技代工企业都要考虑一个问题，是继续坚守着传统的原材料，循规蹈矩的寻找新的机会，还是直接选择投入羽震半导体的阵营获得相应的材料和技术授权。

这是一个旧的材料和新的材料的迭代的变化，也是目前整个半导体代工生产行业的一次新的选择。

当然目前的半导体代工公司也在进行相应的考虑，同时也在等待着机器人一号对于新的材料的讲解，想要看看新的材料对比于传统的硅基半导体材料有什么巨大的差别。

而机器人一号也向众人讲解了C23A1碳基半导体材料这第1代的材料和目前主流的硅基半导体材料有何区别。

首先是在相应的半导体属性方面，正所谓半导体，作为一个非常重要的材料，本身需要一定的导电性，但是其导电性必须受到一定的控制。

毕竟导电过头了就是漏电了！

相应的半导体材料在一定的空间范围之内建设相应的晶体管，通过相应的晶体管的半导电性进行相应的运算，最终依靠运算的速度以及运算的量来决定其性能的表现。

而新的半导体的晶体管，在导电性方面相比于硅基半导体来说，要提升了相应的15%，同时在阻电方面提升了20%。

这也使得目前的第1代的碳基材料，在相应的半导体的特有属性方面，其整体能够接收的频率要比普通的硅基材料强大概17%左右。

同时优良的导电性也能够让其在相应的功耗方面拥有着非常不错的表现力，其中第1代材料的功耗表现相比于普通的硅基材料，直接缩减了25%左右的功耗水平。

这也就意味着用最新材料的碳基半导体生产的处理器芯片在同等设计方面更加的省电，功耗表现更加的优秀。

另外相应的碳基材料能够使得整个半导体内部的晶体管的直径范围控制在0.5n1n右，从而实现半导体制成工艺，真正意义上能够突破到一纳米制程工艺的水平。

要知道目前的硅晶半导体的发展已经开始有了一定的局限性，其整体的能够局限的晶体管的直径范围大概在1.57纳米到1.72纳米之间。

这也就意味着目前的芯片，代工厂商在将工

艺突破到二纳米之后想要再往前，更进一步需要新的技术作为支持，否则传统的技术想要继续的使得相应的制成工艺得到提升，其难度将会大幅度升级。

并且这一次的第1代的半导体碳基材料才只不过是第1代水准，而随着相应的材料技术不断的增强，也能够使得接受制程工艺的水平再次得到提升。

相应的功耗表现可以说是已经完全的超越了传统的硅基材料半导体，而全新的半导体材料的特性，更是给了目前新的碳基半导体材料无限的可能。

相应的第二代C23A2碳基半导体材料则是在第一代的基础方面增加了其相应的导电性，使其的功耗的表现力继续缩减15%左右。

同时相比于第一代材料来说，耐高温的水平也进一步的提高，使得相应的半导体在生产时能够接受更高的频率和更高的温度。

可以说第一代的材料是相应整体材料奠基的基础，而第二代的材料则是在第一代的基础方面做了小幅度的升级，使得整体的体验得到进一步的提升。

随着相应的最新的材料被完全的讲解之后，目前的众多的公司高层此时也被羽震半导体所拥有的技术实力所震惊到。

羽震半导体若是在这一次技术峰会还没有开始的时候，最多也就是目前行业之中天花板的水平。

甚至台积电在相应的半导体代工方面还能够压制住羽震半导体系统。

但是随着相应的最新的碳基半导体材料正式的面向于大众之后，所有人的观点都发生了巨大的改变。

羽震半导体这可不是行业的天花板，这是要把整个行业都进行相应的翻天覆地的改变，让整个行业都因此而疯狂。

看样子这一次随着相应的技术被曝光之后，恐怕与羽震导体未来将会成为整个科技行业之中的心头大患，甚至成为他们最为恐慌的存在

其他的科技公司的负责人，在看到了这样的情况之后，也不免感慨羽震半导体的实力。

同时原本那偏向于全球科技行业的想法也开始出现了动摇，甚至心中也开始准备突破全球科技公司的指令，选择倒向与羽震导体这边。

新的材料也带给了我们现在羽震半导体飞速的发展，特别是在制程工艺方面，我们也有了新的突破！

相应的材料技术方面的升级，带来的是最终生产工艺技术方面的大幅度提升。

而目前整个全球半导体行业之中实现量产最强的制程工艺是目前台积电和三桑的三纳米制程工艺。

当然大多数了解科技的用户自然清楚的明白，三桑所谓的全新的制程工艺只不过是相应的伪工艺而已。

其整体的表现还不如台积电的四纳米和五纳米的制程工艺。

随着三纳米的制程工艺已经成为了目前芯片代工之中最为顶尖的存在，芯片的代工厂商也开始逐步的向更加困难的二纳米制程工艺进行相应的研发探索。

只不过可惜的是，由于芯片材料的特性再加上工艺制成的难度，使得目前的两家科技公司并没有泰达技术方面的进展，甚至有专家估计需要再等两年才会实现两纳米制程工艺的突破和量产。

在去年年底，我们的半导体领域已经正式的突破了三纳米制程工艺，其良品率高达99.986%，这应该是目前行业之中最高的良品率！

同时我们公司也在进行相应的二纳米制程工艺的技术研发创新，目前也能够生产一批次的二纳米制程工艺的处理器芯片，虽说良品率只有80%，但是按照目前的发展，预计在今年年底将会正式的突破99%以上！

预计在明年年初，我们公司将会正式的开始支持两纳米制程工艺的批量生产！

羽震半导体的话，如同晴天霹雳一般，让目前的众多网友都已经完全的傻眼了。

这可是完完全全赤裸裸的向整个半导体科技行业挑衅。

用最为简单的几句话来说，羽震半导体。目前的芯片代工水平已经完全的处于了顶尖的T1梯队，并且良品率还是比其他两家芯片代工的顶尖公司还要强。

并且现在的羽震半导体已经能够生产二纳米制程工艺的处理器芯片，并且在明年就可以开始正式的进行大批量的量产。

这无一例外的是在告诉整个全球半导体行业目前的羽震半导体的芯片生产技术已经来到了全球第一的位置。

甚至再等上一年的时间，就可以直接将其他的半导体的科技公司甩在身后，成为绝无仅有的顶尖半导体科技公司。

新的材料配合着目前整个羽震半导体在相应的代工技术方面的突破无疑是在向整个半导体行业进行宣战。

既然目前的全球科技公司，想要和矩阵半导体好好的玩一下，那么羽震半导体也不会吝啬自己的技术。

恐怕现在的羽震半导体称全球第一，恐怕没有人会反对吧！

其他的半导体科技公司拿什么反对，在技术技术方面比不过对方在材料方面也没有任何的优势，这不是直接在找虐吗？

果然羽震半导体没有让我们失望，这一次技术峰会的开头就有非常不错的看点！

显然正在观看直播的华国网友变得异常激动起来，毕竟目前的羽震半导体，可是直接将整个全球顶尖的行业和顶尖的科技公司疯狂的按在脚下摩擦。

本来以为是整个全球的科技公司联合起来欺负羽震半导体，但是现在看来形势却发生了惊天的逆转。

现在却是羽震半导体强势崛起追着其他的半导体科技公司在打。

新的材料以及最顶尖的制程工艺，必然会引起整个行业的震动，特别是其中最新的材料。

新的材料的出现，会让一些原本有所动摇的科技公司开始逐渐的转变自己的态度。

毕竟新的材料出现也就意味着市场即将变动，而目前的几大科技公司想要在稳固自己的发展，唯一的办法那就是接受羽震半导体，甚至融入羽震半导体。

当然现在想要融入的难度可以说是非常的巨大，毕竟现在想要用新的材料还需要看羽震半导体的脸色。

在介绍完了，目前我们新的创新突破之后，我们即将带来的是一项全新的技术和芯片元器件！

隔空充电和电磁波感应元器件和功率转换芯片！

再介绍完了相应的核心的基础技术方面突破，接下来的羽震半导体公布了另外一个新的体系的出现。

没错，这个新的体系也是目前柔派想要完全实现生态体系的一个新的技术体系。

当然这些技术体系对于目前的下游的科技公司是非常具有吸引力的，至于下游的整合商愿不愿意跟随着羽震半导体跟进，这只是他们的选择。

而羽震半导体只不过是在此技术峰会上面放出一个技术变革信号。